Faculty - NAKANO Yoshitaka |

（Last updated : 2025-04-29 13:38:21）

NAKANO Yoshitaka

Department / Course

工学部電気電子システム工学科

大学院工学研究科電気電子工学専攻

先端研究センター

Job 教授

学歴
1985/04/01～1989/03/31	早稲田大学理工学部卒業
1989/04/01～1991/03/31	早稲田大学大学院理工学研究科博士前期課程修了
2004/03/26 (学位取得)	博士(工学) (電気電子材料工学)

職歴
2018/04 ～	中部大学工学部電気電子システム工学科／先端研究センター教授
2014/04 ～ 2018/03	中部大学工学部電子情報工学科／総合工学研究所教授
2008/01 ～ 2014/03	中部大学総合工学研究所准教授
1991/04 ～ 2007/12	豊田中央研究所研究員

所属学会
	応用物理学会
	日本表面真空学会
	米国電気化学会
	米国真空学会

現在の専門分野
半導体工学, パワー半導体, 物性デバイスキーワード(次世代パワー半導体、物性デバイス、欠陥準位)

研究テーマ
次世代パワー半導体の物性デバイス研究
酸化物・窒化物エレクトロニクス

担当授業科目
半導体工学
量子電子物理
電子回路Ⅰ
電気数学演習
電子計測システム
Display All（7）

著書・論文歴
著書	新太陽エネルギー利用ハンドブック第V編「太陽光発電技術」化合物半導体材料 ―III-V族窒化物太陽電池の潜在力― (共著) 2013
Books	Trends in Applied Spectroscopy Vol.9 Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Carbon-Related Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown by MOCVD (Co-authored) 2013
Books	GaNパワーデバイスの技術展開 AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価 (Co-authored) 2012
Books	Solar Cells - New Aspects and Solutions Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells (Co-authored) 2011
Books	可視光応答型光触媒の実用化技術半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価 (Co-authored) 2010
Display All（180）

学会発表
2023/11	Bacterial Inactivation of Pt-doped Rutile TiO2 Nanoparticles Annealed with Low-Temperature O2 Plasma (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Photocatalytic Activity Enhancement of Titanium Dioxide Nanoparticles via High-Pressure Annealing with Polyethylene Glycol (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Photocatalytic Activity of g-C3N4 Nanosheets Grown by High-Pressure Annealing (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Photocatalytic Characteristics of TiO2/Au/TiO2/Au Stacked Nanostructure Induced by Ultraviolet and Visible light Irradiation (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Real-time observation of oxidation process on GaN surfaces by x-ray photoelectron spectroscopy (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14))
Display All（122）

研究課題・受託研究・科研費
2019/04 ～ 2022/03	Global Investigation of Electrical Damage Introduced into p-GaN Films by Plasma Ion Bombardments Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
2014/04 ～ 2018/03	Elucidation of UV irradiation effect in plasma etching process of wide gap semiconductors Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
2014/04 ～ 2017/03	Investigation on hydrogen interaction with nitride-based semiconductor metal/semiconductor interfaces Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
2011/04 ～ 2015/03	Hydrogen sensors using nitride-based semiconsuctor devices Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
2010/04/01 ～ 2013/03/31	Band-gap states and quality analyses of AlGaN/GaN hetero-structures 基盤研究(C)
Display All（6）

取得特許
	Group III nitride semiconductor device （US Patent 7211839）
	III-V HEMT DEVICES （US Patent 7777252）
	Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster （US Patent 6972459）