教員情報 - 中野　由崇 | 中部大学

（最終更新日 : 2024-06-30 17:32:37）

ナカノ　ヨシタカ NAKANO Yoshitaka
中野　由崇

所属工学部電気電子システム工学科

大学院工学研究科電気電子工学専攻

先端研究センター

職名教授

学歴
1985/04/01～1989/03/31	早稲田大学理工学部卒業
1989/04/01～1991/03/31	早稲田大学大学院理工学研究科博士前期課程修了
2004/03/26 (学位取得)	博士(工学) (電気電子材料工学)

職歴
2018/04 ～	中部大学工学部電気電子システム工学科／先端研究センター教授
2014/04 ～ 2018/03	中部大学工学部電子情報工学科／総合工学研究所教授
2008/01 ～ 2014/03	中部大学総合工学研究所准教授
1991/04 ～ 2007/12	豊田中央研究所研究員

所属学会
	応用物理学会
	日本表面真空学会
	米国電気化学会
	米国真空学会

現在の専門分野
半導体工学, パワー半導体, 物性デバイスキーワード(次世代パワー半導体、物性デバイス、欠陥準位)

研究テーマ
次世代パワー半導体の物性デバイス研究
酸化物・窒化物エレクトロニクス

担当授業科目
半導体工学
量子電子物理
電子回路Ⅰ
電気数学演習
電子計測システム
全件表示（7件）

著書・論文歴
著書	新太陽エネルギー利用ハンドブック第V編「太陽光発電技術」化合物半導体材料 ―III-V族窒化物太陽電池の潜在力― (共著) 2013
著書	Trends in Applied Spectroscopy Vol.9 Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Carbon-Related Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown by MOCVD (共著) 2013
著書	GaNパワーデバイスの技術展開 AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価 (共著) 2012
著書	Solar Cells - New Aspects and Solutions Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells (共著) 2011
著書	可視光応答型光触媒の実用化技術半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価 (共著) 2010
全件表示（177件）

学会発表
2023/11	Bacterial Inactivation of Pt-doped Rutile TiO2 Nanoparticles Annealed with Low-Temperature O2 Plasma (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Photocatalytic Activity Enhancement of Titanium Dioxide Nanoparticles via High-Pressure Annealing with Polyethylene Glycol (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Photocatalytic Activity of g-C3N4 Nanosheets Grown by High-Pressure Annealing (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Photocatalytic Characteristics of TiO2/Au/TiO2/Au Stacked Nanostructure Induced by Ultraviolet and Visible light Irradiation (The 44th International Symposium on Dry Process (DPS2023))
2023/11	Real-time observation of oxidation process on GaN surfaces by x-ray photoelectron spectroscopy (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14))
全件表示（127件）

講師・講演
	光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価

研究課題・受託研究・科研費
2022/04/01 ～ 2025/03/31	次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明基盤研究C
2019/04 ～ 2022/03	プラズマイオン衝撃により誘発されるp型GaNの電気的ダメージの全容解明基盤研究(C) キーワード(Ga空孔, イオン衝撃, 欠陥準位, パワー半導体, プラズマイオン衝撃, p型GaN, プラズマイオン, CF4, ノーマリーオフ, Ar, 電気的ダメージ, 光容量過渡分光法, N空孔, Mgアクセプター)
2016/04 ～ 2019/03	Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とスイッチング特性の相関解明研究課題基盤研究C
2016 ～ 2017	光還元触媒用Ｐ形３Ｃ－ＳｉＣ自立基板の非侵襲・高感度欠陥準位評価技術の開発科学技術振興機構　マッチングプランナープログラム「探索試験」
2014/04 ～ 2018/03	ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明基盤研究(C) キーワード(軟Ｘ線吸収, UV, ワイドギャップ半導体, プラズマエッチング, プラズマ, 欠陥, 化合物半導体, ＵＶ照射, イオンビーム, 紫外線照射, GaN, ドライエッチング, TiO2)
全件表示（14件）

取得特許
	Group III nitride semiconductor device （US Patent 7211839）
	III-V HEMT DEVICES （US Patent 7777252）
	Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster （US Patent 6972459）
2017/08/04	半導体装置とその製造方法（特許第6185508号）
2017/02/24	半導体装置とその製造方法（特許第6096523号）
全件表示（17件）

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中野研究室（物性デバイス）