教員情報 - 中野　由崇 | 中部大学

ナカノ　ヨシタカ NAKANO Yoshitaka
中野　由崇

所属工学部電気電子システム工学科

大学院工学研究科電気電子工学専攻

先端研究センター

職名教授

研究課題・受託研究・科研費
2022/04/01 ～ 2025/03/31	次世代パワー半導体β-Ga2O3の固有欠陥準位の全容解明基盤研究C
2019/04 ～ 2022/03	プラズマイオン衝撃により誘発されるp型GaNの電気的ダメージの全容解明基盤研究(C) キーワード(Ga空孔, イオン衝撃, 欠陥準位, パワー半導体, プラズマイオン衝撃, p型GaN, プラズマイオン, CF4, ノーマリーオフ, Ar, 電気的ダメージ, 光容量過渡分光法, N空孔, Mgアクセプター)
2016/04 ～ 2019/03	Si基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とスイッチング特性の相関解明研究課題基盤研究C
2016 ～ 2017	光還元触媒用Ｐ形３Ｃ－ＳｉＣ自立基板の非侵襲・高感度欠陥準位評価技術の開発科学技術振興機構　マッチングプランナープログラム「探索試験」
2014/04 ～ 2018/03	ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明基盤研究(C) キーワード(軟Ｘ線吸収, UV, ワイドギャップ半導体, プラズマエッチング, プラズマ, 欠陥, 化合物半導体, ＵＶ照射, イオンビーム, 紫外線照射, GaN, ドライエッチング, TiO2)
2014/04 ～ 2017/03	窒化物半導体の金属－半導体界面と水素との相互作用機構の研究基盤研究(C) キーワード(窒化物半導体, センサ, 水素, 半導体デバイス, 絶縁膜, 界面)
2013/04/01 ～ 2015/03/31	AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位とデバイス･スイッチング特性の相関研究基盤研究(C)
2012 ～ 2013	水銀プローブ電極を用いた光容量分光計測による窒化物半導体ウエハのインラインプロセスでの高感度欠陥準位分析法の開発科学技術振興機構　A-STEP FSステージ探索タイプ
2011/04 ～ 2015/03	窒化物半導体を用いた耐環境性水素ガスセンサーの開発基盤研究(C) キーワード(窒化物半導体, 水素, 界面, 窒化アルミニウム)
2011 ～ 2012	導電性高分子膜を透明ショットキー電極として用いた容量DLOS計測による窒化物半導体膜の欠陥準位分析法の開発科学技術振興機構　A-STEP FSステージ探索タイプ
2010/04/01 ～ 2013/03/31	AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンド構造解析と高品質化基盤研究(C)
2010 ～ 2014	集光型III-V族窒化物太陽電池の高効率化とその実用デバイスへの展開科学技術振興機構　先端的低炭素化技術開発事業（ALCA）
2009 ～ 2010	窒化物半導体膜の高感度定量分析装置の開発科学技術振興機構　シーズ発掘試験A
2009 ～ 2010	窒化物半導体超低損失パワー素子の研究若手研究(B) キーワード(窒化物半導体, ショットキー構造, GaN, 電気・電子材料, ヘテロ構造, ヘテロ接合, AlGaN/GaN, AlGaN)