教員情報 - 中野　由崇 | 中部大学

ナカノ　ヨシタカ NAKANO Yoshitaka
中野　由崇

所属工学部電気電子システム工学科

大学院工学研究科電気電子工学専攻

先端研究センター

職名教授

取得特許
	Group III nitride semiconductor device （US Patent 7211839）
	III-V HEMT DEVICES （US Patent 7777252）
	Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster （US Patent 6972459）
2017/08/04	半導体装置とその製造方法（特許第6185508号）
2017/02/24	半導体装置とその製造方法（特許第6096523号）
2016/10/14	ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及びワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定装置（特許第6023497号）
2016/04/08	半導体基板の表面モニター方法（特許第5911351号）
2014/12/19	半導体基材の状態測定方法及び状態測定装置（特許第5667382号）
2014/05/16	ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法（特許第5541664号）
2013/03/15	半導体装置とその製造方法（特許第5221577号）
2011/11/04	III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子（特許第4852786号）
2011/10/14	MOSトランジスタ（特許第4840551号）
2011/05/20	半導体装置とその製造方法（特許第4744109号）
2010/12/17	III族窒化物半導体を有する半導体素子（特許第4645034号）
2010/12/17	III族窒化物半導体を有する半導体素子（特許第4645753号）
2010/12/17	有機材料の評価装置及び評価方法（特許第4645540号）
2002/06/07	NOxガス検知半導体およびその製造方法（特許第3314509号）